[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-C102-16] Ta₂O₅を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性

〇宮谷 俊輝¹、西 佑介¹、木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：抵抗変化メモリ、反応性スパッタリング