[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-C102-2] Si基板上のスパッタ堆積Si酸化膜の抵抗変化過渡現象観察

〇大村 泰久¹、佐藤 伸吾¹ (1.関西大)

キーワード：抵抗変化の過渡解析、シリコン酸化膜、抵抗遷移エネルギー

Si 基板上のスパッタ堆積シリコン酸化膜の抵抗変化に関してスイッチングの過渡現象を直接観察し、スイッチング時間の評価を行った。数us程度の時間で抵抗変化を起こしていることが分かり、スイッチングエネルギーを見積もることができた。