[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-C102-3] スパッタ堆積Si酸化膜の抵抗スイッチングエネルギーの評価

〇大村 泰久¹、赤野 拓哉^1,2、佐藤 伸吾¹ (1.関西大、2.奈良先端大学院大)

キーワード：スイッチングエネルギー、シリコン酸化膜、低エネルギースイッチング

Au/Silicon oxide/b-FeSi₂/n-Si 構造のコンデンサ構造で抵抗変化のスイッチングエネルギーを調べた。別の実験で明らかになった抵抗遷移時間に基づき、抵抗遷移エネルギーを計算した結果、抵抗遷移時間は長いものの、エネルギーの値は従来の報告値よりもかなり小さく、シリコン酸化膜を用いたメモリの低エネルギー性能を示すことができた。