[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-C102-7] c-AFMおよびPEEMによるTaO_x膜の抵抗変化記録スポット観察

〇三沢 源人¹、川北 純平^2,3、谷内 敏之^2,3、辛 埴^2,3、内藤 泰久^1,2、島 久^1,2、秋永 広幸^1,2 (1.産総研ナノエレ、2.OPERANDO-OIL、3.東大物性研)

キーワード：光電子顕微鏡、タンタル酸化物、導電性AFM

遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリの微小領域における動作解明が重要な課題であり、CWレーザー励起の光電子顕微鏡の高空間分解能での表面状態観察能力が期待されている。抵抗変化記録媒体であるPt上のTaO_x膜に上部電極のかわりに導電性AFMの探針を接触させて書き込みをおこない、導電性AFMと光電子顕微鏡で観察した。低抵抗化スポットとほぼ同じ位置に光電子の強度コントラストが生じ、かつ異なる微細構造が観察された。