2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年3月18日(日) 13:45 〜 19:00 C302 (52-302)

重川 直輝(大阪市立大)、佐藤 威友(北大)

16:30 〜 16:45

[18p-C302-11] 高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路

深見 成1、網代 康佑1、〇大石 敏之1、河野 直士1、荒木 幸二1、桝谷 聡士1、嘉数 誠1 (1.佐賀大)

キーワード:ダイヤモンド、ショットキーバリアダイオード、RF-DC変換回路

ダイヤモンドショットキーバリアダイオード単体の容量・抵抗積の面積依存性を検討,CR積の小さいSBDでRF-DC変換(デュアルダイオード)回路を作製し,入力と出力の電圧比が高いRF-DC変換特性を実現した.