[18p-D101-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18p-D101-3] 太陽電池用ｎ型Cz-Siの結晶成長条件が熱処理後の酸素析出に与える影響－赤外線トモグラフィーによる評価

〇(M1)木下 晃輔¹、小島 拓人¹、大下 祥雄²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.豊田工業大学)

キーワード：結晶シリコン太陽電池、結晶成長、析出

ｎ型単結晶Siはp型に比べてキャリア寿命が長いことなどから、次世代太陽電池への適用が期待されている。Cz法で育成したSi結晶は、製造時に酸素が混入し、熱プロセスにより歪を伴う析出が進行し、変換効率低下の原因になる。また、酸素の析出には炭素も関与しており、炭素濃度と析出物密度には明確な相関があることが報告されている。そのため、太陽電池の変換効率向上には炭素が酸素析出に与える影響を理解することが重要である。前回までに、我々は炭素濃度が熱処理後の酸素析出に与える影響を詳細に評価した。
本研究では、結晶成長条件の異なるインゴットから切り出したウェーハを用意し、熱処理に伴う酸素析出がキャリア寿命に与える影響を評価した。