[18p-D102-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-D102-15] 低電圧駆動有機電界効果トランジスタの閾値電圧制御

〇阿部 泰之¹、酒井 平祐¹、村田 英幸¹ (1.北陸先端大)

キーワード：低電圧駆動、Vthシフト

本研究では6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentaceneとPolystyreneを半導体層に用いることで低電圧駆動するOFETを作製した。このOFETの絶縁層にpoly(vinyl cinnamate) (PVCN)とSiO₂を用いた二層絶縁層構造を採用し、PVCN層にホールをトラップさせることで低電圧駆動OFETにおける閾値電圧の制御を実現した。