2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-D102-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

2018年3月18日(日) 13:15 〜 19:30 D102 (56-102)

中野谷 一(九大)、北村 雅季(神戸大)、岡田 裕之(富山大)

18:30 〜 18:45

[18p-D102-20] ギャップ内準位による有機トランジスタのターンオン電圧制御

松井 弘之1、時任 静士1 (1.山形大ROEL)

キーワード:有機電界効果トランジスタ、OFETs、デバイスシミュレーション

不純物半導体を用いるシリコンMOSFETに対し、有機トランジスタ(OFET)では一般に真性半導体が用いられる。従って、OFETのターンオン電圧VONは、主にチャネル-ゲート間の仕事関数差およびチャネルのギャップ内準位により決定される。本研究では、ギャップ内準位の積極的な導入によるVON制御を目的として、デバイスシミュレーションおよび共蒸着による実験結果を元に検討したので報告する。