[18p-E201-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [18p-E201-4] 岩塩構造MgZnO薄膜の成長と光物性

〇石井 恭平¹、小野 瑞生²、内田 貴之¹、神野 莉衣奈¹、尾沼 猛儀²、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.工学院大)

キーワード：深紫外発光、MgZnO、酸化物半導体

MgZnOは最大7.8 eVのバンドギャップをもち、真空紫外領域での固体光源の材料として期待されている。これまでに波長212 nmでの発光を観測しており、さらなる短波長領域での発光を目指してより高Mg組成のMgZnO薄膜の成長条件についての検討を行った結果、成長温度750℃においてステップ高さが0.21 nmのステップ－テラス構造が得られた。当日はこの結果をもとに光物性についても発表する予定である。