[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-21] YSZ基板上InGaNおよびInAlN薄膜の成長とMISFET応用

〇中村 享平¹、小林 篤¹、上野 耕平¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：窒化物半導体、電界効果トランジスタ