[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18p-E202-4] 多波回折明視野X線トポグラフィによるNaフラックス法GaN基板中転位の同定

〇(M1)水落 博之¹、鶴丸 哲也¹、津坂 佳幸^1,2、松井 純爾²、今西 正幸³、今出 完³、森 勇介³ (1.兵県大院物質理学、2.兵県大・放射光ナノテクセンター、3.阪大院工)

キーワード：多波回折明視野X線トポグラフィ、Naフラックス法GaN基板、転位

Naフラックス法GaN基板中転位を多波回折明視野X線トポグラフィを用いて観察した。この手法は、回折光の位置にCMOSカメラを移動させる必要がなく、複数の回折光を素早く取り出すことができる。転位のコントラストが消失する条件から、基底面転位のバーガース・ベクトルはa、貫通転位のバーガース・ベクトルはa又はa+cとなった。