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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月18日(日) 13:15 〜 19:30 E202 (57-202)

荒木努(立命館大)、片山竜二(阪大)、藤倉序章(サイオクス)

14:30 〜 14:45

△ [18p-E202-5] 改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価

〇濱地威明¹、竹内正太郎¹、藤平哲也¹、今西正幸²、今出完²、森勇介²、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：NaフラックスGaN、転位、電流検出型原子間力顕微鏡