2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月18日(日) 13:15 〜 19:30 E202 (57-202)

荒木 努(立命館大)、片山 竜二(阪大)、藤倉 序章(サイオクス)

15:45 〜 16:00

[18p-E202-9] 高温アニールで生じるスパッタAlNの反り制御

林 侑介1、谷川 健太朗1、正直 花奈子2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院地域イノベ、2.三重大院工)

キーワード:AlN、スパッタ、アニール

スパッタ成膜したAlNを1700℃の高温アニール処理することにより、結晶性が大幅に改善されることが報告されている。アニールの過程で固相成長が促進され、貫通転位が消失する様子がTEM測定から明らかにされている。一方、クラックの発生やウェハの反りも見られており、これらの抑制は深紫外LEDへの応用で重要となる。両面研磨サファイア基板の表面・裏面にスパッタすることでアニール後の反り制御に成功したので報告する。