[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-F206-1] 3C-SiC/Si 基板上に形成したヘテロエピタキシャルダイヤモンドSBD の電気特性

〇室岡 拓也¹、矢板 潤也¹、岩崎 孝之¹、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、加藤 宙光²、Natal Meralys³、Saddow Stephen E.³、山崎 聡²、波多野 睦子¹ (1.東工大、2.産総研、3.南フロリダ大)

キーワード：ダイヤモンド、ショットキーバリアダイオード、3C-SiC