[18p-F310-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[18p-F310-7] BiSI薄膜を用いた光電変換系の開発

〇増本 魁星¹、国奥 広伸¹、東 正信¹、冨田 修¹、阿部 竜¹ (1.京大院工)

キーワード：太陽電池、化合物薄膜、V-VI-VII族

BiSIはバンドギャップが1.5 eV程度であり鉛等の有害元素を含まないため、新規太陽電池用材料として期待されている。本研究ではBiSIの固体型太陽電池への適用を目的に、より緻密なBiSI薄膜の形成が可能な蒸気反応法（VR法）を開発した。CuSCNと接合を形成した固体型セルでは、従来の電気泳動法により形成したBiSI薄膜では発電が確認されなかったのに対し、VR法では変換効率0.014%が得られた。