2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス/集積化技術

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 G203 (63-203)

齋藤 真澄(東芝)、宮地 幸祐(信州大)

17:30 〜 17:45

[18p-G203-17] TLC NAND型フラッシュメモリの高信頼化とデータ圧縮を同時に実現するメモリコントローラ技術

出口 慶明1、渡邉 光1、竹内 健1 (1.中大理工)

キーワード:TLC NAND型フラッシュメモリ、データ圧縮、信頼性

SSDなどに広く用いられているTLC NAND型フラッシュメモリでは、1セルに3ビットを保存することで大容量化を実現しているが、信頼性低下が問題となっている。そこで、データにエラーが発生しにくくなるよう、データを変調してTLC NAND型フラッシュメモリに保存する技術が提案されてきている。本講演では、このようなデータの高信頼化をデータ圧縮と同時に実現する手法の提案を行う。