[18p-G205-1~18] 12.1 作製・構造制御

△ [18p-G205-3] 窒素添加LaB₆界面制御層を用いたペンタセンPseudo-CMOS

〇(D)前田 康貴¹、廣木 瑞葉¹、小松 勇貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：ペンタセン、窒素添加LaB6、界面制御層

これまで、我々はペンタセンに対する窒素添加LaB₆界面制御層の効果について報告してきた。今回、窒素添加LaB₆界面制御層を用いたペンタセンのPseudo-CMOSについて検討した。窒素添加LaB₆界面制御層により、ペンタセンOFETのしきい値電圧を制御することにより、インバータ特性を得ることに成功した。