[18p-P11-1~13] 12.2 評価・基礎物性

[18p-P11-13] GISAXSによるペンタセン製膜中の表面形態評価 (II)

〇広沢 一郎¹、渡辺 剛¹、小金澤 智之¹、吉本 則之² (1.JASRI、2.岩手大理工)

キーワード：有機半導体、薄膜成長、微小角入射X線小角散乱

微小角入射X線小角散乱によりSiO₂​基板上のペンタセン薄膜形成時の表面形態を検討したところ、１分子層未満の膜ではisland間の相関距離が700 nm程度である一方、1分子層を越えた膜の相関距離は240 nmとなった。この結果はSiO₂上よりもペンタセン膜表面上の方がペンタセン分子の拡散距離が著しく短いことを示唆するものと考えられる。