[18p-P12-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-P12-2] Persistent Homology を用いたアモルファスSiO₂膜の構造解析

〇テイ チュウ¹、寺田 拓哉¹、富田 基裕^1,2、渡邉 孝信¹、小山 晃¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員)

キーワード：アモルファスSiO2膜、Persistent Homology群、構造解析

SiO2/Siの界面近傍を[2]の界面モデルを幾何化してpersistent homology論というトポロジー理論を用いた解析を試みた。解析で界面近くのアモルファスと界面から離れたアモルファスにある１次元の穴の違いを調査した。Persistence図によって界面近くでは「小さな」穴が多く、界面から遠ざかるに従って大きな穴へ「大きな」穴へ変移していくと推論できる。また、アモルファスはSi結晶と異なり、現れる「大きな」穴は６個ではなく７個または８個の原子によって構成される穴と考えられる。