[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-16] ¹⁵NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングのESR定量

〇梅田 享英¹、染谷 満²、原田 信介² (1.筑波大数物、2.産総研)

キーワード：SiC-MOS界面、窒化アニール、窒素ドーピング

SiC-MOS界面の品質を向上させる標準プロセスとしてポスト窒化アニールがある。このプロセスに対しては、界面への窒素導入とともにSiCチャネル側に窒素ドナーが導入されて電気特性向上に寄与するというモデルが提案されている。そこで¹⁵N同位体を使って、SiCへ侵入した¹⁵Nドナーの電子スピン共鳴分光（ESR）評価を行った。その結果、¹⁵NドナーはESRの検出限界以下であった。代わりに界面への窒素導入による界面炭素欠陥の除去が観測された。その除去量は¹⁵Nドナーの発生量よりも1桁以上大きかった。