[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-8] 界面顕微光応答法によるNi/SiN/n-SiC MIS構造の２次元評価

〇橋爪 孝典¹、佐藤 勝²、武山 真弓²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.北見工大)

キーワード：SiC、MIS構造、界面顕微光応答法

界面顕微光応答法によりNi/SiN/n-SiC MIS構造の電圧印加による劣化過程を評価した。電圧印加前のNi電極では、均一な光電流像が得られた。順方向電圧30 V印加後、顕微鏡像でNi表面に平坦ではない領域がみられた。その領域で電圧印加前に比べ光電流が約3倍に増加し、顕微鏡像と同じパターンがみられた。界面顕微光応答法は電圧印加によるMIS構造の劣化の評価に適していることを示した。