[18p-P15-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-P15-4] ナノワイヤ型シリコン熱電デバイスにおけるAlN熱伝導層の膜質が発電性能に及ぼす影響

〇目崎 航平¹、大和 亮¹、詹 天卓¹、橋本 修一郎¹、大場 俊輔¹、姫田 悠矢¹、熊田 剛大¹、徐 茂¹、武澤 宏樹¹、津田 和瑛¹、松川 貴²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：窒化アルミニウム、エナジーハーベスティング

熱電材料の性能を最大限に引き出すには、熱電変換部の温度差を大きくすることが重要であり、そのためには周辺の寄生熱抵抗の削減が必須となる。窒化アルミニウム（AlN）は、熱伝導率が高くSiと熱膨張係数が近いことから、Si-NWを用いたμTEGの熱伝導層材料の有力候補である。今回我々は、成膜条件が異なるAlNのN欠損密度を電子線マイクロアナライザを用いて調査し、μTEGの発電特性との関係を調査した。