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[18p-P3-2] 遊星ボールミル法によるSi系クラスレート粉末の焼結体における熱電特性
キーワード:熱電変換、クラスレート、微細構造
遊星ボールミル法により微細化したクラスレートBa8Ga16Si30を焼結することで低温域におけるゼーベック係数の増大に成功した.また,格子熱伝導率kLの遊星ボールミル時間依存性より,ミル時間の増加に伴いkLは減少し,ミル時間18 h でkL = 約0.8 Wm−1K−1でミル0 hと比べ27.4%減少した.その原因として焼結体密度の低下に加え微細化による界面フォノン散乱増強の可能性が示唆される.