2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[18p-P6-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年3月18日(日) 13:30 〜 15:30 P6 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[18p-P6-16] ラザフォード後方散乱法によるZnイオン注入GaN単結晶内の格子変位評価

〇久保田 恭平1、西村 智朗1、栗山 一男1、中村 徹1 (1.法政大)

キーワード：Znイオン注入、ラザフォード後方散乱、格子変位