2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年3月18日(日) 13:30 〜 15:30 P8 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-14] MOVPE法で作製した層厚の異なるInAs/GaAsSb超格子の光学特性評価

〇(M1)若城 玲亮1、井上 裕貴1、高橋 翔1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)

キーワード:MOCVD、InAs/GaAsSb、超格子