2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年3月18日(日) 13:30 〜 15:30 P8 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-2] GaSb薄膜／GaAs(100)基板上のInSb QDs形成の成長温度依存性

〇伊藤 峰水1、岩熊 陽1、土屋 隆史1、町田 龍人1、藤代 博記1 (1.東理大基礎工)

キーワード：MBE、InSb、量子ドット