[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-5] 分子線堆積法によるSiO₂/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成

〇山口 浩一¹、ウイクラマナヤカ プラビーン¹、馬飼野 彰宜¹、坂本 克好¹ (1.電通大　基盤理工)

キーワード：量子ドット、InAs、SiO2