[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[19a-B201-4] 中赤外フォトニクスのためのGe/Si ハイブリッド MOS型光変調器の提案

〇(B)田口 富隆¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大工)

キーワード：中赤外、シリコンフォトニクス、ゲルマニウム

本研究では、Ge薄膜をSi導波路上に貼り合わせたGe/SiハイブリッドMOS型光変調器を提案し、変調特性等を数値解析したので報告する。解析の結果、Ge中の正孔による自由キャリア吸収を用いることで、位相変調を用いたSi光変調器よりも小型化が可能であることが示唆された。また、広い中赤外波長域で動作が期待される。このことから、提案する変調器は中赤外フォトニクス応用において魅力的な特性を有することが分かった。