2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-C101-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月19日(月) 09:15 〜 11:45 C101 (52-101)

角嶋 邦之(東工大)

11:15 〜 11:30

[19a-C101-9] バルクSi基板へのホットC+注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅲ):Cドーズ量依存性

入江 翔1、〇山本 将輝1、中田 真史1、小又 祐介1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード:SiC、ホットイオン注入、量子ドット