[19a-C104-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[19a-C104-10] AlO_x,TiO_x,PtO_xバッファ層のPbLa(Zr,Ti)O₃薄膜結晶性への影響

〇王 文生¹、野村 健二²、中村 亘¹、恵下 隆^3,1、小澤 聡一郎¹、山口 秀史²、高井 一章¹、渡邉 純一¹、三原 智¹、彦坂 幸信¹、濱田 誠¹、片岡 祐治²、児島 学¹ (1.富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ、2.富士通研、3.和歌山大)

キーワード：強誘電体メモリ、結晶性、バッファ層

我々は、ICカードの多機能化及び近年注目されているIoT市場のニーズに対応して、低電圧動作、高集積度のFRAM製品用に、電気的特性の優れたPLZTの成膜プロセスを開発した。FRAMの特性とその製造歩留まりは、強誘電体膜PLZTの結晶配向性に影響されている。本発表では、FRAM特性及びデバイス歩留まりを改善するために、強誘電体膜、下部電極の結晶性を向上させるために、下部電極とCMOSのバッファ層種類の影響及びそのメカニズムを議論する。