2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマナノテクノロジー

[19a-C201-1~11] 8.3 プラズマナノテクノロジー

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:00 C201 (52-201)

竹中 弘祐(阪大)、石島 達夫(金沢大)

10:00 〜 10:15

[19a-C201-5] 金ナノ粒子触媒被覆シリコンの低ダメージラジカル窒化

北嶋 武1、石田 晃大1、中野 俊樹1 (1.防大電気)

キーワード:ナノ粒子、プラズマ、極薄膜

我々は金ナノ粒子の触媒性をプラズマ表面反応へ応用し、プラズマ照射表面へのダメージの低減と良質な極薄膜形成への活用を図ってきた。今回は更なる低ダメージ化のためにプラズマからのイオンを除去したラジカル照射下での反応活性を評価した。XPSのSi2pスペクトルを比較すると、Auナノ粒子があることでSiONの103eV付近のピークが得られており、Si-N結合がAuナノ粒子の触媒活性の助けで形成できた。