[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-C302-8] p型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動

〇(M2)井上 凌兵¹、中村 成志¹、奥村 次徳¹ (1.首都大理工)

キーワード：p型GaN、プラズマ照射誘起欠陥