2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[19a-D101-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年3月19日(月) 09:15 〜 11:45 D101 (56-101)

布村 正太(産総研)

09:15 〜 09:30

[19a-D101-1] シリコンナノクリスタル層のキャリア分離効果による結晶シリコン太陽電池の短波長感度の向上

〇(D)鬼塚 裕也1,2,3、今村 健太郎1,2、小林 光1,2 (1.阪大産研、2.CREST-JST、3.学振特別研究員)

キーワード:ブラックシリコン、シリコンナノクリスタル層、バンドギャップ勾配

我々は、開発した化学的転写法で結晶Si表面にシリコンナノクリスタル(nc-Si)層を形成することで、反射防止膜を必要としない単純構造の太陽電池で19.8%の効率を達成している。本論文では、量子サイズ効果により、nc-Si層がバンドギャップ勾配を有することを示唆する結果を得た。また、このバンドギャップ勾配により、表面付近の生成キャリアの分離が促進され、表面積の大きなnc-Si層を有する太陽電池でも非常に高い内部量子効率を実現した。