[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19a-D103-9] SiCガス成長における気相反応と表面再構成構造の予測

〇長川 健太¹、寒川 義裕^2,4、牧野 英美³、細川 徳一³、恩田 正一⁴、白石 賢二^4,1 (1.名大院工、2.九大、3.デンソー、4.名大・IMaSS)

キーワード：SiC、CVD、表面再構成

2200～2500℃の高温で成長するガス成長法(HTCVD)は、理論計算による気相反応や表面反応の予測などはあまりなされていない。また気相成長時の表面構造についての議論も十分ではない。そのため本研究では第一原理計算を用いて、SiCのガス成長における気相反応の解明、および表面再構成構造の決定を行う。