An effect of electric field on a cone angle at an easy-cone state in CoFeB/MgO stack investigated by ferromagnetic resonance

Atsushi Okada; Shun Kanai; Shunsuke Fukami; Hideo Sato; Hideo Ohno

講演情報

一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » CS6 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）,10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術,10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術のコードシェアセッション

[19a-D104-1~11] CS6 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）,10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術,10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術のコードシェアセッション

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:00 D104 (56-104)

野崎友大(東北大)

10:15 〜 10:30

▼ [19a-D104-6] An effect of electric field on a cone angle at an easy-cone state in CoFeB/MgO stack investigated by ferromagnetic resonance

〇Atsushi Okada¹、Shun Kanai^1,2,3、Shunsuke Fukami^1,2,3,4、Hideo Sato^1,2,3,4、Hideo Ohno^1,2,3,4,5 (1.RIEC, Tohoku Univ.、2.CSIS, Tohoku Univ.、3.CSRN, Tohoku Univ.、4.CIES, Tohoku Univ.、5.WPI-AIMR, Tohoku Univ.)

キーワード：electric field effect, easy cone, CoFeB/MgO

We investigate temperature and electric-field dependence of magnetic anisotropy in CoFeB/ MgO shows easy-cone state below 200 K. Anisotropy fields H_K₁^eff and H_K₂ increase with decreasing temperature. In all temperature range we measured, application of positive electric field decreases H_K₁^eff and it does not alter H_K₂ virtually. Cone angle of easy-cone state is also changed and it increases with positive electric field (~10 degrees with E = 0.1 V/nm).