2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-E201-1~7] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年3月19日(月) 10:00 〜 11:45 E201 (57-201)

野本 淳一(高知工科大)、宮田 俊弘(金沢工大)

10:00 〜 10:15

[19a-E201-1] ZnO系透明導電膜の特性とPLスペクトルの対応 II

赤沢 方省1 (1.NTT DIC)

キーワード:ZnO、フォトルミネッセンス、ドナー

ZnO結晶のドナーが何であるかに対して、実験的なアプローチを試みている。前回に引き続き、ZnO膜のプロセス条件を変えることで生じる抵抗率の変化とPLスペクトルに出現する欠陥発光の相関を捉えることで、ドナーの正体に迫る結果を報告する。具体的には、成膜温度の効果とプラズマ照射の効果により、亜鉛空孔と酸素空孔の発光を特定し、導電姓との関連を論じる。