[19a-E201-1~7] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19a-E201-3] パルスレーザー堆積法によるP:SnO₂薄膜の作製

〇福本 通孝¹、中尾 祥一郎¹、廣瀬 靖¹、長谷川 哲也¹ (1.東大院理)

キーワード：透明導電膜、酸化スズ