[19a-E201-1~7] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-E201-7] Ce 及び H 共添加された In₂O₃ 透明導電膜におけるCe 価電子状態と高キャリア輸送特性

〇山本 哲也¹、小林 啓介^1,2、小林 英治³、野本 淳一¹、牧野 久雄¹、小畠 雅明²、斎藤 祐児²、藤森 伸一²、岡根 哲夫²、山上 浩志² (1.高知工科大総研、2.原子力機構、3.長州産業（株）)

キーワード：透明導電膜、酸化インジウム、セリウム

セリウム (Ce) 及び水素共添加された酸化インジウム多結晶透明導電膜 (膜厚: 100nm) を研究開発した。成膜法は直流アーク放電を用いた反応性プラズマ蒸着法である。キャリア密度 2×10²⁰ cm^-3 において、ホール移動度 145 cm²/Vs なる高いキャリア輸送特性を実現した。n 型ドーパントとしてのCeの価電子状態について、従来にない特異な電子状態であることが高キャリア輸送をもたらすことを解明した。