[19a-F202-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19a-F202-6] イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi₂膜の低速陽電子ビームによる評価

〇薮内 敦¹、木野村 淳¹、前川 雅樹²、河裾 厚男² (1.京大原子炉、2.量研機構)

キーワード：鉄シリサイド、空孔、陽電子消滅

イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi₂膜について，低速陽電子ビームを用いて調べた．β-FeSi₂のAlドープによる発光強度増強は非発光再結合中心であるSi空孔をAl原子が埋めることでもたらされると従来考えられていた．しかし陽電子消滅測定からは，β-FeSi₂へのAlドープはより多くの空孔型欠陥を導入することを示唆する結果が得られた．