[19a-F202-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19a-F202-8] BaSi₂エピタキシャル膜ラマンスペクトルの膜厚およびBa/Si体積レート比依存性

〇佐藤 拓磨¹、髙部 涼太¹、山下 雄大¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大)

キーワード：薄膜太陽電池、格子欠陥、ラマン分光

新規高効率薄膜太陽電池材料として期待されるBaSi₂の格子欠陥を実験的に検出することを目的とし、ラマン分光法による測定を行った。作製したBaSi₂エピタキシャル膜の膜厚依存性より、Si基板との格子不整合に伴うミスフィット転位、また成膜時のBa/Si体積レート比依存性より膜内の点欠陥を示唆する、ラマンスペクトルのピーク位置シフトを観測した。