[19a-F214-1~11] 6.5 表面物理・真空

△ [19a-F214-5] 表表面化学反応のDFT計算におけるスピン混入誤差に関する検討

〇多田 幸平¹、古賀 裕明²、奥村 光隆^1,3、田中 真悟¹ (1.産総研・電池技術、2.京大・触媒電池、3.阪大院理)

キーワード：密度汎関数理論、スピン混入誤差、排ガス浄化触媒

表面・界面の第一原理計算においては、周期性と計算コストのために、平面波基底を用いた密度汎関数理論（DFT）による計算が主流である。他方、分子の二量化や共有結合の開裂といった化学現象のDFT計算においては、スピン混入誤差と呼ばれる誤差が計算される全エネルギー等に生じる。しかし、表面で進行する化学反応におけるスピン混入誤差の影響は不明瞭なままであった。そのような中、我々は、スピン近似射影法をDFT/plane-wave法に適用することによって表面系におけるスピン混入誤差の算出に成功した。本発表では、表面触媒反応への応用例としてNOの二量化反応の活性化障壁に対するスピン混入誤差の影響に関して報告する。