2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[19a-G204-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年3月19日(月) 09:00 〜 11:45 G204 (63-204)

國本 崇(徳島文理大)

09:15 〜 09:30

[19a-G204-2] Zn添加CuInSe2コロイダル量子ドットの近赤外発光特性

福田 武司1、牧 純也1、佐藤 豪1、佐々木 宏尚1 (1.埼玉大)

キーワード:半導体量子ドット、赤外発光、ZnCuInSe

赤外発光を示すZn添加CuInSe2の赤外発光特性(蛍光量子収率・スペクトル、蛍光寿命)やX線構造解析などの結果を報告する。合成条件を最適化した結果、蛍光量子収率はZn添加量が4 mmolのときに最も高く、シェルコーティングを行わないにも関わらず43%を実現した。