[19a-P3-1~14] 3.9 テラヘルツ全般

[19a-P3-13] シリコンにおける透過テラヘルツ波形に対する光励起の影響

〇(M1C)笹島 秀樹¹、笠島 裕太²、アファリヤ ジェシカ³、守安 毅¹、谷 正彦³、北原 英明³、河本 敏郎⁴、熊倉 光孝¹ (1.福井大院工、2.福井大工、3.福井大遠赤セ、4.神戸大院理)

キーワード：テラヘルツ、キャリアダイナミクス、シリコン

我々は，光ポンプ・テラヘルツ波プローブ分光システムによって光励起下における真
性半導体シリコンのキャリアダイナミクスの解明を行った．本講演では，光励起によっ
て生じたこれらの電場波形の変化に着目してキャリアダイナミクスの議論を試みる．
観測されたピーク時刻の負の方向への変化は，キャリア密度に依存した光学定数の変
化に起因するテラヘルツパルスの伝搬特性の変化としてドルーデモデルを用いて定性
的に説明出来る．