[19a-P4-1~8] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-P4-4] 逆格子空間マッピングと角度分解トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察

〇高橋 由美子¹、平野 馨一²、志村 考功³、長町 信治⁴ (1.日大量科研、2.KEK-PF、3.⼤阪⼤院⼯、4.(株)⻑町サイエンスラボ)

キーワード：トポグラフィー、逆格子空間マッピング、炭化ケイ素

パワーデバイス⽤SiC結晶の歪分布を放射光斜⼊射角度分解トポグラフィー法と逆格子空間マッピングで評価している。イオン注入を行った試料では未注入試料には見られない、散漫な散乱が逆格子空間マッピングで観察され、イオン注入プロセスによる結晶性の劣化と考えられる。