[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-77] 単層MoS₂/h-BN/GraphiteヘテロFETにおけるSSの温度依存性

〇豊田 哲史¹、谷口 尚²、渡邉 健司³、長汐 晃輔^1,3 (1.東大工、2.物材機構、3.JST-さきがけ)

キーワード：MoS2、積層構造、サブスレッショルドスウィング

Ni/Au電極のMoS₂/h-BN/Graphiteデバイスを作製し，電気特性を測ったところ，80 mV/decという特性が得られた．