[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-8] TMDC-SWCNTヘテロ構造の作製とデバイス特性

〇小柳 知穂¹、末永 健志朗¹、河原 憲治²、斎藤 毅³、田中 丈士³、片浦 弘道³、吾郷 浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC、3.産総研)

キーワード：遷移金属カルコゲナイド、カーボンナノチューブ、二次元材料

近年、二次元材料のp-nヘテロ構造は、スイッチングデバイスや光センサー、太陽電池、そしてトンネルFETなど多様な応用が期待される。本研究では、p型半導体として知られている一次元材料の単層カーボンナノチューブ（SWCNT）に着目し、半導体を分離したSWCNTと二次元材料を組み合わせることを検討した。