2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[19p-A404-1~19] 3.7 レーザープロセシング

2018年3月19日(月) 13:15 〜 18:45 A404 (54-404)

吉田 岳人(阿南高専)、寺川 光洋(慶大)

13:45 〜 14:00

[19p-A404-2] レーザー直接描画法による還元型酸化グラフェンくし型マイクロ電極の形成とデバイス応用

渡辺 明1、蔡 金光2 (1.東北大多元研、2.China Acad. Eng. Phys.)

キーワード:レーザー直接描画、還元型酸化グラフェン、平面型マイクロスーパーキャパシタ

酸化グラフェン(GO)は,溶媒分散性を有するナノカーボンであり,ウェットプロセスによる様々なデバイス形成への応用が期待されている。GOのレーザー還元によって導電性の還元型酸化グラフェン(rGO)を得ることができる。本研究では,レーザー直接描画法によって,rGO/GOくし形マイクロ電極を形成し,平面型マイクロスーパーキャパシタ(MSC)や湿度センサーとしてのデバイス特性に及ぼす電極構造の影響に関する検討を行った。