[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

△ [19p-C202-14] TypeⅢ p⁺-WSe₂/ WSe₂ヘテロ構造におけるバンド間トンネル

〇何 俊陽¹、方 楠¹、中村 圭吾¹、上野 啓司²、谷口 尚³、渡邊 健司³、長汐 晃輔¹ (1.東大、2.埼玉大、3.物材機構)

キーワード：二次元層状物質、トンネルFET

我々は，オゾン酸化により形成したWO_x/p⁺-WSe₂をPDMSによる2回転写によりWO_x側をh-BN上に転写することで大気安定性に優れたp⁺-WSe₂を形成できることを見出した. 今回，このp⁺-WSe₂をsourceとして用いたp⁺-WSe₂/WSe₂ ヘテロ構造において，Type III型の負性微分抵抗(NDR trend)及びBTBTを計測したので報告する．