[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [19p-C204-5] 窒化ガリウムの原子層エッチングに向けたラジカル吸着機構の解明

〇長谷川 将希¹、堤 隆嘉¹、谷出 敦^1,2、近藤 博基¹、石川 健治¹、堀 勝¹ (1.名大、2.(株)SCREEN ホールディングス)

キーワード：窒化ガリウム、原子層エッチング

窒化ガリウム（GaN）の原子層エッチング実現に向け、本研究では、Cl吸着過程に着目し、プラズマビーム装置を用いてClラジカル照射したGaN表面へのCl吸着挙動を調査した。サファイア上に水素化物気相成長したGaNの自然酸化膜を除去した後、ClラジカルとArイオンの照射を1サイクルとして、合計3サイクル行った基板表面ではGaNの結晶組成N/Ga～1に窒素の割合が回復した。表面状態に依存したClラジカル吸着挙動について考察する。