[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-15] トラップの時定数がGaN HEMTのパルス応答に与える影響
－デバイスシミュレーションによる検討－

網代 康佑¹、〇大石 敏之¹ (1.佐賀大)

キーワード：GaN、パワーデバイス

GaN HEMTのパルス応答特性にGaNトラップが与える影響をデバイスシミュレーションを使って検討した．
その結果，時定数が遅いトラップが存在しても，高周波パルスに影響を与えないことがわかった．これは，高周波パルスではイオン化したトラップ濃度が変化せず，パルス波形を劣化させないためである．